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| 用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘兴昉 ; 孙国胜; 李晋闽; 赵永梅; 王雷; 赵万顺; 李家业; 曾一平
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| CMOS电路与MEMS微电极的单片集成化方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 隋晓红; 裴为华
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| 用于微机电系统器件的圆片级三维封装方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102363520A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-02-29, 2012-09-07
发明人: 郑海洋; 杨晋玲; 杨富华
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| 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华
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| 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 杨晋玲; 解婧; 刘云飞; 杨富华
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| 基于谐振原理工作的MEMS滤波器模块 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534603.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 宁瑾; 李永梅; 韩国威; 杨富华
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| 基于差分方法的MEMS器件信号检测电路 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010564525.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 韩国威; 宁瑾; 孙国胜; 赵永梅; 杨富华
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| 基于寄生电容调节的高精度温度补偿MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| 采用窄脉冲激励MEMS谐振器的振荡器电路 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 司朝伟; 韩国威; 宁瑾; 刘晓东
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| MEMS振荡器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-31
发明人: 赵晖; 杨晋玲; 骆伟; 杨富华
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