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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen, Z;  Chua, SJ;  Yuan, HR;  Liu, XL;  Lu, DC;  Han, PD;  Wang, ZG;  Chen, Z, Singapore MIT Alliance, AMMNS, E4-04-10,NUS,4 Engn Dr,3, Singapore 117576, Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han XX;  Li DB;  Yuan HR;  Sun XH;  Liu XL;  Wang XH;  Zhu QS;  Wang ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang CP;  Yang FH;  Zheng HZ;  Qiu ZJ;  Gui YS;  Guo SL;  Chu JH;  Shen B;  Zheng YD;  Jiang, CP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlatt & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cpjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王军喜;  王晓亮;  刘宏新;  胡国新;  李建平;  李晋闽;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘力锋;  陈诺夫;  张富强;  陈晨龙;  李艳丽;  杨少延;  刘志凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  仇志军;  桂永胜;  崔利杰;  曾一平;  黄志明;  疏小舟;  戴宁;  郭少令;  禇君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Xiaoliang;  Hu Guoxin;  Wang Junxi;  Liu Xinyu;  Liu Hongxin;  Sun Dianzhao;  Zeng Yiping;  Qian He;  Li Jinmin;  Kong Meiying;  Lin Lanying
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