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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
 Adobe PDF(1366Kb) |  Favorite | View/Download：781/138 | Submit date：2013/06/03 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Wei, Quanxiang; Wu, Bingpeng; Ren, Zhengwei; He, Zhenhong; Niu, Zhichuan
Adobe PDF(1366Kb) | Favorite | View/Download：672/163 | Submit date：2013/05/07 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Xu, Yingqiang; Tang, Bao; Wang, Guowei; Ren, Zhengwei; Niu, Zhichuan; Xu, Y.(yingqxu@semi.ac.cn)
Adobe PDF(691Kb) | Favorite | View/Download：1272/392 | Submit date：2012/06/14 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 徐应强 ; 汤宝; 王国伟; 任正伟; 牛智川
Adobe PDF(607Kb) | Favorite | View/Download：1500/314 | Submit date：2012/07/17 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
Inventors: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(573Kb) | Favorite | View/Download：2062/287 | Submit date：2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
Inventors: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(550Kb) | Favorite | View/Download：1969/257 | Submit date：2010/03/19 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(752Kb) | Favorite | View/Download：1773/150 | Submit date：2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
Adobe PDF(753Kb) | Favorite | View/Download：1710/168 | Submit date：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: 孙彦; 彭红玲; 任正伟; 贺振宏
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