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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙彦; 彭红玲; 任正伟; 贺振宏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: NIU Zhihong; REN Zhengwei; HE Zhenhong
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 牛智红; 任正伟; 贺振宏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu Zhichuan); Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hao RT (Hao Ruiting); Xu YQ (Xu Yingqiang); Zhou ZQ (Zhou Zhiqiang); Ren ZW (Ren Zhengwei); Ni HQ (Ni Haiqiao); He ZH (He Zhenhong); Niu ZC (Niu, Zhichuan); Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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