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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 一种基于键合技术制作微波传输线的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237093.9, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 张岭梓 ; 曹权; 左玉华; 王启明
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| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
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| 半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 白安琪; 成步文; 左玉华; 王启明
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| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄
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| 多级高精度微位移传感器探头 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 王欣; 谢亮; 鞠昱; 刘宇; 漆晓琼; 孙可; 满江伟; 袁海庆; 祝宁华
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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