| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器; 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 |
| 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-09-09
; 2012-09-09
; 2012-09-09
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种亚微米波导型Ge量子阱电光调制器,包括：一SOI衬底,该SOI衬底包括一硅衬底,一制作在硅衬底上的二氧化硅层和制作在二氧化硅层上的硅波导层,该硅波导层的宽度小于二氧化硅层的宽度；一缓冲层,该缓冲层制作在SOI衬底上面的硅波导层的中间部位,该缓冲层的长度小于硅波导层的长度；一虚衬底,该虚衬底制作在缓冲层上；一有源区,该有源区制作在虚衬底的上面；一盖层,该盖层制作在有源区的上面,所述的缓冲层、虚衬底、有源区和盖层构成调制区,该调制区和SOI衬底上的硅波导层的宽度均为亚微米量级。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110108110.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23430
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
赵红卫,胡炜玄,成步文,等. 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器, 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器.
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