| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法; 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法 | |
| 马志华; 左玉华; 薛春来; 成步文; 王启明; 郑世雄 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：取一硅片；步骤2：在硅片中注入Al；步骤3：将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中；步骤4：将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理,完成共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110102926.8 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23433 |
| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马志华,左玉华,薛春来,等. 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法, 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法.p（271KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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