| GeSn合金的外延生长方法 |
| 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种GeSn合金的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一Sn固体金属作为Sn源材料置入真空腔的Sn固体源炉中；步骤2：将一衬底置入分子束外延源炉的真空腔的加热器上，对真空腔抽真空，对衬底加热；步骤3：对Sn固体金属加热，使Sn固体金属熔化，蒸发产生Sn的原子，打开挡板，使Sn原子到达衬底表面；步骤4：向分子束外延源炉的真空腔内通入含有Ge的化合物气体，使Ge原子淀积到衬底表面，完成GeSn合金的外延生长。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910088391.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910088391.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22051
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
成步文,薛春来,左玉华,等. GeSn合金的外延生长方法. CN200910088391.6.
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