SEMI OpenIR  > 集成光电子学国家重点实验室
一种基于键合技术制作微波传输线的方法
张岭梓; 曹权; 左玉华; 王启明
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法,该方法包括:采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起;去除外延片的衬底,露出外延片的外延材料层;对外延片的外延材料层进行刻蚀,制作外延器件,将微波传输线制作区域刻蚀至键合界面;在键合界面上制作作为电极传输线的微波传输线。利用本发明,在实现硅基器件集成的同时,可以更容易地制作高质量的微波传输线。
部门归属集成光电子学国家重点实验室
专利号CN200910237093.9
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910237093.9
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22015
专题集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
张岭梓,曹权,左玉华,等. 一种基于键合技术制作微波传输线的方法. CN200910237093.9.
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