| 一种基于键合技术制作微波传输线的方法 |
| 张岭梓 ; 曹权; 左玉华; 王启明
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-30
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种基于键合技术制作微波传输线的方法，该方法包括：采用键合技术将外延片的外延材料层与键合基片键合在一起；去除外延片的衬底，露出外延片的外延材料层；对外延片的外延材料层进行刻蚀，制作外延器件，将微波传输线制作区域刻蚀至键合界面；在键合界面上制作作为电极传输线的微波传输线。利用本发明，在实现硅基器件集成的同时，可以更容易地制作高质量的微波传输线。 |
| 部门归属 | 集成光电子学国家重点实验室
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| 专利号 | CN200910237093.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910237093.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22015
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| 专题 | 集成光电子学国家重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
张岭梓,曹权,左玉华,等. 一种基于键合技术制作微波传输线的方法. CN200910237093.9.
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