SEMI OpenIR

Browse/Search Results:  1-8 of 8 Help

  Show only claimed items
Selected(0)Clear Items/Page:    Sort:
新型Si基纳米阵列结构及其光电特性 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
Authors:  白安琪
Adobe PDF(176852Kb)  |  Favorite  |  View/Download:953/70  |  Submit date:2011/06/03
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  苏少坚;  汪巍;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华;  成步文;  王启明
Adobe PDF(650Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1914/296  |  Submit date:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Bai AQ (Bai Anqi);  Cheng BW (Cheng Buwen);  Wang XF (Wang Xiaofeng);  Xue CL (Xue Chunlai);  Zuo YH (Zuo Yuhua);  Wang QM (Wang Qiming);  Cheng, BW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1248Kb)  |  Favorite  |  View/Download:979/248  |  Submit date:2010/11/30
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  薛海韵;  苏少坚;  白安琪;  罗丽萍;  俞育德;  王启明
Adobe PDF(291Kb)  |  Favorite  |  View/Download:2130/554  |  Submit date:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  白安琪;  胡迪;  丁武昌;  苏少坚;  胡炜玄;  薛春来;  樊中朝;  成步文;  俞育德;  王启明
Adobe PDF(533Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1223/390  |  Submit date:2010/11/23
GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
Adobe PDF(269Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1317/217  |  Submit date:2011/08/30
半导体纳米柱阵列结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183395.5, 公开日期: 2011-08-30
Inventors:  白安琪;  成步文;  左玉华;  王启明
Adobe PDF(244Kb)  |  Favorite  |  View/Download:985/146  |  Submit date:2011/08/30
在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
Inventors:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
Adobe PDF(307Kb)  |  Favorite  |  View/Download:1194/110  |  Submit date:2011/08/30