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一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  张 旭 
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SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  董 赞 
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Huang Beiju;  Zhang Xu;  Chen Hongda
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双电容金属氧化物半导体硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  刘海军;  顾明
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三电容MOS硅基高速高调制效率电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  刘金彬;  顾明;  刘海军
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CMOS硅发光二极管驱动电路 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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采用标准CMOS工艺制作的叉指型结构硅发光二极管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈弘达;  刘海军;  黄北举
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多层金属间氧化物脊形波导结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  顾明;  刘海军
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Huang Beiju;  Chen Hongda;  Liu Jinbin;  Gu Ming;  Liu Haijun
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  刘海军;  高鹏;  陈弘达;  顾明;  许奇明;  刘金彬;  黄北举
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