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一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  张 旭 
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SOI衬底CMOS工艺电光调制器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-17, 公开日期: 3998
Inventors:  陈弘达;  黄北举;  董 赞 
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Huang Beiju;  Zhang Xu;  Chen Hongda
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