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| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠 Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1540/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079801.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋国峰; 张宇; 汪卫敏; 陈熙 Adobe PDF(474Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1569/261  |  提交时间:2011/08/31 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1323/352  |  提交时间:2012/09/09 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(984Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:914/116  |  提交时间:2014/11/05 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(1368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:897/76  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29 发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:752/103  |  提交时间:2014/11/05 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:827/73  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种集成半导体激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(779Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:511/4  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 张立春; 王国伟; 张宇; 徐应强; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:515/13  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨成奥; 张宇; 廖永平; 魏思航; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:571/6  |  提交时间:2016/09/12 |