HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 | |
张宇![]() ![]() ![]() ![]() | |
Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
Date Available | 2011-08-31 |
Country | 中国 |
Subtype | 发明 |
Abstract | 一种HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器,包括:一GaSb衬底,利用分子束外延方法在GaSb衬底上依次制备出GaSb缓冲层、GaSb收集区、InAs/GaSb超晶格基区、AlGaAsSb基区、AlGaAsSb发射区以及GaSb盖层;一上电极,采用溅射的方法制作在GaSb盖层的表面,该上电极的中间开有一光的入射口;一下电极,采用溅射的方法制作在GaSb衬底的下表面。 |
metadata_83 | 纳米光电子实验室 |
Patent Number | CN201010123021.4 |
Language | 中文 |
Status | 公开 |
Application Number | CN201010123021.4 |
Patent Agent | 汤保平 |
Document Type | 专利 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22437 |
Collection | 纳米光电子实验室 |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张宇,王国伟,汤宝,等. HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器. CN201010123021.4. |
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