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2μm波段GaSb基量子阱大功率激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  廖永平
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一种集成半导体激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川
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一种半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  魏思航;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(575Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：530/6  |  提交时间：2016/09/12