SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法
邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-05-01
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2013-01-25
申请号CN201310029832.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25686
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
邢军亮,张宇,王国伟,等. 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法.
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双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制(1931KB) 限制开放使用许可请求全文
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