| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法; “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 | |
| 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-09-09 ; 2012-09-09 ; 2012-09-09 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法,包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构；步骤3：在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室 |
| 专利号 | CN102157903A |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 公开 |
| 申请号 | CN201110027237.5 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23460 |
| 专题 | 纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 迂修,张宇,王国伟,等. “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法, “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法. CN102157903A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法.（227KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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