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| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30 发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1612/189  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29 发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1592/245  |  提交时间:2012/08/29 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/352  |  提交时间:2012/09/09 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(984Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1037/116  |  提交时间:2014/11/05 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(1368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:994/76  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种具有W型有源区结构的带间级联激光器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-29 发明人: 张宇; 邢军亮; 徐应强; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(378Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:850/103  |  提交时间:2014/11/05 |
| 基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23 发明人: 倪海桥; 丁颖; 徐应强; 李密锋; 喻颖; 査国伟; 徐建新; 牛智川 Adobe PDF(346Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:902/86  |  提交时间:2014/11/17 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:957/73  |  提交时间:2014/11/24 |
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川 Adobe PDF(932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:890/107  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种集成半导体激光器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 杨成奥; 张宇; 廖永平; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(779Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:691/4  |  提交时间:2016/09/12 |