SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
在衬底上生长异变缓冲层的方法; 在衬底上生长异变缓冲层的方法
贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-08-29 ; 2011-09-21 ; 2012-08-29
授权国家中国
专利类型发明
摘要 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
申请日期2011-05-11
专利号CN102194671A
语种中文
专利状态公开
申请号 CN201110121899.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23328
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
贺继方,尚向军,倪海桥,等. 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法. CN102194671A.
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在衬底上生长异变缓冲层的方法.pdf(309KB) 限制开放使用许可请求全文
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