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在衬底上生长异变缓冲层的方法; 在衬底上生长异变缓冲层的方法 | |
贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2012-08-29 ; 2011-09-21 ; 2012-08-29 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
摘要 | 一种在衬底上生长异变缓冲层的方法,包括如下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上生长缓冲层;步骤3:在缓冲层上生长异变缓冲层;步骤4:在异变缓冲层生长外延层,形成基片;步骤5:对基片进行降温处理,完成在衬底上生长异变缓冲层的制备。 |
部门归属 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
申请日期 | 2011-05-11 |
专利号 | CN102194671A |
语种 | 中文 |
专利状态 | 公开 |
申请号 | CN201110121899.9 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23328 |
专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 贺继方,尚向军,倪海桥,等. 在衬底上生长异变缓冲层的方法, 在衬底上生长异变缓冲层的方法. CN102194671A. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
在衬底上生长异变缓冲层的方法.pdf(309KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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