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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012 发明人: 汤宝; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1682/287  |  提交时间:2010/03/19 |
| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010 发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1577/257  |  提交时间:2010/03/19 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1396/190  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/150  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 郝瑞亭; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1333/168  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30 发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1612/189  |  提交时间:2011/08/30 |
| 在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29 发明人: 贺继方; 尚向军; 倪海桥; 王海莉; 李密峰; 朱岩; 王莉娟; 喻颖; 贺正宏; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1591/245  |  提交时间:2012/08/29 |
| 利用全反射角的改变进行传感的折射率传感方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240936.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 於丰; 阚强; 许兴胜; 王春霞; 刘宏伟; 陈弘达 Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1594/173  |  提交时间:2011/08/30 |
| 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102502481A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-06-20, 2012-06-20, 2012-09-07 发明人: 毛旭; 方志强; 杨晋玲; 杨富华 Adobe PDF(710Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1459/396  |  提交时间:2012/09/07 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/352  |  提交时间:2012/09/09 |