已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1119/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26 发明人: 王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1035/98  |  提交时间:2014/10/29 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:995/85  |  提交时间:2014/10/29 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12 发明人: 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(934Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:838/97  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种高精度分量式光纤钻孔应变仪 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 黄稳柱; ‘张文涛; 李芳 Adobe PDF(756Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:681/74  |  提交时间:2014/11/24 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:957/73  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29 发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:833/0  |  提交时间:2016/09/29 |
| 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平 Adobe PDF(600Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:708/0  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 姚丹阳; 张锦川; 周予虹; 贾志伟; 闫方亮; 王利军; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:950/5  |  提交时间:2016/08/30 |