| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 | |
| 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体所 |
| 公开日期 | 2016-09-29 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2015-01-04 |
| 申请号 | CN201510002211.3 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27634 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘胜北,何志,刘斌,等. 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法.pd（1167KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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