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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Meng Yulin;  Wang Lianshan;  Zhao Guijuan;  Li Fangzheng;  Li Huijie;  Yang Shaoyan;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Li Fangzheng;  Wang Lianshan;  Zhao Guijuan;  Meng Yulin;  Li Huijie;  Chen Yanan;  Yang Shaoyan;  Jin Peng;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Wang Lianshan;  Zhao Guijuan;  Meng Yulin;  Li Huijie;  Yang Shaoyan;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu, Changbo;  Zhao, Guijuan;  Liu, Guipeng;  Song, Yafeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Li, Zhiwei;  Liu, Xianglin;  Yang, Shaoyan;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
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非极性 InGaN 薄膜的生长及相关物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
Authors:  赵桂娟
Adobe PDF(9558Kb)  |  Favorite  |  View/Download:853/52  |  Submit date:2013/06/20
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu, Changbo;  Yang, Shaoyan;  Shi, Kai;  Liu, Guipeng;  Zhang, Heng;  Jin, Dongdong;  Gu, Chengyan;  Zhao, Guijuan;  Sang, Ling;  Liu, Xianglin;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
Adobe PDF(634Kb)  |  Favorite  |  View/Download:484/99  |  Submit date:2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Liu, Guipeng;  Wu, Ju;  Zhao, Guijuan;  Liu, Shuman;  Mao, Wei;  Hao, Yue;  Liu, Changbo;  Yang, Shaoyan;  Liu, Xianglin;  Zhu, Qinsheng;  Wang, Zhanguo
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制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
Inventors:  张恒;  魏鸿源;  杨少延;  赵桂娟;  金东东;  王建霞;  李辉杰;  刘祥林;  王占国
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利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
Inventors:  杨少延;  冯玉霞;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
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利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-12
Inventors:  杨少延;  张恒;  魏鸿源;  焦春美;  赵桂娟;  汪连山;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(894Kb)  |  Favorite  |  View/Download:490/79  |  Submit date:2014/11/05