| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 | |
| 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 | |
| Rights Holder | 中国科学院半导体研究所 |
| Date Available | 2012-12-12 |
| Country | 中国 |
| Subtype | 发明 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Application Date | 2012-09-05 |
| Application Number | CN201210325568.1 |
| Document Type | 专利 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25331 |
| Collection | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 赵桂娟,李志伟,桑玲,等. 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄（822KB） | 限制开放 | License | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment