| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 | |
| 赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-12-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 申请日期 | 2012-09-05 |
| 申请号 | CN201210325568.1 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25331 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵桂娟,李志伟,桑玲,等. 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
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| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄（822KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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