一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
姚丹阳; 张锦川; 周予虹; 贾志伟; 闫方亮; 王利军; 刘俊岐; 刘峰奇; 王占国
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-08-30
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2014-09-30
申请号CN201410520059.3
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27290
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
姚丹阳,张锦川,周予虹,等. 一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构.
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