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| 具有1:N波长备份功能的波分复用无源光网络系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 4006
发明人: 韩 威; 祝宁华; 谢 亮; 王 欣; 袁海庆
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| 生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-09, 公开日期: 4006
发明人: 王莉莉
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| 一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人: 魏同波
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| 微机电系统薄膜材料力学性能与可靠性测试方法和装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人: 杨晋玲; 周 威; 杨富华
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| 实现超高真空半导体外延片解理和腔面多层镀膜的系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 4005
发明人: 宋国峰
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| 一种半导体固态白光光源的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-01, 公开日期: 4005
发明人: 徐云
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| InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 戴扬
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| 在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人: 王晓亮; 罗卫军; 郭伦春; 肖红领; 李建平; 李晋闽
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| 用阳极氧化铝模板实现半导体材料上图形转移的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 胡迪
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| 采用光子晶体微腔和晶片键合技术实现电注入的单光子源 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 4003
发明人: 郑婉华; 刘安金; 任 刚; 邢名欣; 渠宏伟; 陈良惠
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