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半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曾宇昕;  王水凤;  杨富华;  曾庆城
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一种基于半导体光存储器单元的光探测器和光摄像单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑厚植;  李桂荣;  杨富华
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共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  王建林;  伊小燕;  马龙
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大面积制备二氧化硅或者硅纳米线的控制生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓欣;  王启明
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采用双层结构的混合集成光路芯片 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈鹏;  刘育梁;  李芳
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具有微波光子晶体结构接地层的高速印刷电路板 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  伞海生;  刘超;  祝宁华
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用于直接数字频率合成的高阶∑△噪声整形内插器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  倪卫宁;  石寅
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数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郑凯;  马骁宇;  林涛;  刘素平;  张广泽
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改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
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对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄应龙;  杨富华;  王良臣;  姜磊;  白云霞;  王莉
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