Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 | |
| 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 | |
| 2006-07-26 | |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 |
| 专利类型 | 发明 |
| 申请日期 | 2005-01-18 |
| 语种 | 中文 |
| 申请号 | 200510004572 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3409 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄应龙,杨富华,王良臣,等. 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法[P]. 2006-07-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 200510004572.pdf（385KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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