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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1439/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1351/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1602/227  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1441/259  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高质量氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010541038.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(418Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1327/250  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077680.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1527/261  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李志聪; 姚然; 王兵; 梁萌; 李鸿渐; 李盼盼; 李璟; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1576/306  |  提交时间:2012/09/09 |
| 减少激光剥离损伤的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910087351.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 段瑞飞; 王良臣; 刘志强; 季安; 王国宏; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(259Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1265/138  |  提交时间:2011/08/31 |
| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1082/190  |  提交时间:2012/09/09 |
| Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102351229A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 赵婧; 刘喆; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(817Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1119/173  |  提交时间:2012/09/09 |