| 高质量氮化镓系发光二极管 |
| 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种氮化镓系发光二极管，其包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层，该缓冲层制作在氮化镓成核层上；一n型接触层，该n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层上面的一侧刻蚀有一台面；一n型插入层，该n型插入层制作在n型接触层远离台面一侧的内部，其上还是n型接触层；一活性发光层，该活性发光层制作在远离台面的n型接触层的上面，并覆盖所述n型接触层的部分表面；一p型电子阻挡层，该p型电子阻挡层制作在活性发光层上；一p型接触层，该p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一负电极，该负电极制作在n型接触层上的台面上；一正电极，该正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010541038.1
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010541038.1
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22117
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
马平,王军喜,王国宏,等. 高质量氮化镓系发光二极管. CN201010541038.1.
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