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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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直径六英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术 成果
2007
主要完成人:  李晋闽;  曾一平;  惠峰;  卜俊鹏;  王文军;  郑红军;  孙红方
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六英寸半绝缘砷化镓单晶  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  董志远;  赵有文;  魏学成;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏同波;  王军喜;  闫建昌;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  马平;  魏同波;  段瑞飞;  王军喜;  李晋闽;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏同波;  王军喜;  刘喆;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏同波;  王军喜;  李晋闽;  刘酷;  段瑞飞
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏学成;  赵有文;  董志远;  李晋闽
Adobe PDF(426Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1027/366  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  梁萌;  王国宏;  范曼宁;  郭德博;  刘广义;  马龙;  王良臣;  李晋闽
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