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| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏同波 ; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽
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| 采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157625.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙莉莉; 闫发旺; 张会肖; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 丁凯; 张连; 王军喜; 段瑞飞; 曾一平; 李晋闽
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| 栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘志强; 郭恩卿; 伊晓燕; 汪炼成; 王国宏; 李晋闽
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| 氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 段瑞飞; 魏同波; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王兵; 李志聪; 王国宏; 闫发旺; 姚然; 王军喜; 李晋闽
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| 高质量氮化镓系发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010541038.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 马平; 王军喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910077680.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽
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