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| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平
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| 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘超 ; 高兴国; 李建平; 曾一平
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| 蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 郭伦春; 王晓亮; 王军喜; 肖红领; 曾一平; 李晋闽
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| 在硅衬底上低温生长高结晶质量氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 沈文娟; 曾一平; 王启元; 王俊
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| 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-02-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 王翠梅; 曾一平; 李晋闽
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| 一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李东临; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王保柱; 王晓亮; 王晓燕; 王新华; 郭伦春; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 曾一平; 李晋闽
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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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