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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  胡国新;  王军喜;  李建平;  曾一平
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制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘超;  高兴国;  李建平;  曾一平
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蓝光、黄光量子阱堆叠结构白光发光二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郭伦春;  王晓亮;  王军喜;  肖红领;  曾一平;  李晋闽
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