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Z-型石墨烯纳米带在Si(001)表面吸附及掺杂的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  李静
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密度泛函理论+z-型石墨烯纳米带+si(001)表面+吸附+掺杂  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu XQ;  Guo Y;  Liu XL;  Liu JM;  Song HP;  Zhang BA;  Wang J;  Yang SY;  Wei HY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Xu, XQ, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. xxq@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(165Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：975/340  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP;  Fu Y;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Shen XM;  Zhao DG;  Zheng XH;  Duan LH;  Li BC;  Zhang SM;  Yang H;  Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang CJ;  Zhu XP;  Li C;  Zuo YH;  Cheng BW;  Li DZ;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Huang CJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang CJ;  Zuo YH;  Li DZ;  Cheng BW;  Luo LP;  Yu JZ;  Wang QM;  Zuo YH,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Heteroepitaxial Growth  Hydrocarbon Radicals  Si(001) Surface  Beam  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Gong Q;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Zhang W;  Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Coherent Islands  Gaas  Growth  Dots  Dislocations  Temperature  Mechanisms  Si(001)  Ingaas