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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai YQ (Gai, Yanqin);  Li JB (Li, Jingbo);  Li SS (Li, Shu-Shen);  Xia JB (Xia, Jian-Bai);  Yan YF (Yan, Yanfa);  Wei SH (Wei, Su-Huai);  Gai, YQ, Chinese Acad Sci, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn;  swei@nrel.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  白元强;  莫庆伟;  范缇文
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Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Zhang W;  Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Coherent Islands  Gaas  Growth  Dots  Dislocations  Temperature  Mechanisms  Si(001)  Ingaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Wu J;  Xu B;  Liang JB;  Fan TW;  Wang ZG;  Bai YQ;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Mo QW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许燕;  林兆军;  陈伟;  白元强;  方克明
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