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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: S F Li; K K Meng; C Y Cheng; J H Zh; T S Lai
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屈盛; 张兴旺 ; 毛和璜; 余银祥; 韩增华; 汤叶华; 周春兰; 王文静
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| 减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人: 李晋闽; 林学春; 熊 波; 侯 玮; 郭 林; 赵鹏飞; 韩泽华; 李瑞贤
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 包志华; 景为平; 罗向东; 谭平恒
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang FZ; Chen ZH; Sun J; Bai LH; Huang SH; Xiong H; Jin P; Wang ZG; Shen SC; Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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| Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者: Wang FZ; Chen ZH; Sun J; Bai LH; Huang SH; Xiong H; Jin P; Wang ZG; Shen SC; Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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Quantum Dots |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杜伟; 许兴胜; 孙增辉; 鲁琳; 高俊华; 赵致民; 王春霞; 陈弘达
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 许兴胜; 熊志刚; 孙增辉; 杜伟; 鲁琳; 陈弘达; 金爱子; 张道中
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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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| 利用光掩模板作无源对准的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈弘达; 裴为华; 唐君; 申荣铉; 孙增辉; 贾九春
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