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减小温度梯度的激光晶体 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
发明人:  李晋闽;  林学春;  熊 波;  侯 玮;  郭 林;  赵鹏飞;  韩泽华;  李瑞贤
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  包志华;  景为平;  罗向东;  谭平恒
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots 会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Sun J;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Jin P;  Wang ZG;  Shen SC;  Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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Quantum Dots  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  孙增辉;  鲁琳;  高俊华;  赵致民;  王春霞;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许兴胜;  熊志刚;  孙增辉;  杜伟;  鲁琳;  陈弘达;  金爱子;  张道中
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高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  徐晓华;  倪海桥;  牛智川;  贺正宏;  王建林
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利用光掩模板作无源对准的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  唐君;  申荣铉;  孙增辉;  贾九春
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang FZ;  Chen ZH;  Bai LH;  Huang SH;  Xiong H;  Shen SC;  Sun J;  Jin P;  Wang ZG;  Wang, FZ, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄辉;  王兴妍;  王琦;  陈斌;  黄永清;  任晓敏;  孙增辉;  钟源;  高俊华;  马骁宇;  陈弘达;  陈良惠
Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:944/231  |  提交时间:2010/11/23