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二维半导体材料肖特基势垒场效应晶体管的设计研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018
Authors:  范志强
Adobe PDF(2814Kb)  |  Favorite  |  View/Download:677/40  |  Submit date:2018/01/30
Atomic defects in monolayer WSe 2 tunneling FETs studied by systematic ab initio calculations 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2018, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 054001
Authors:  Jixuan Wu ;  Zhiqiang Fan ;   Jiezhi Chen;   Xiangwei Jiang
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Diamine anchored molecular junctions of oligo(phenylene ethynylene) cruciform 期刊论文
CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2018, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 271-275
Authors:  Yuqing Liu;   Marco Santella ;   Zhiqiang Fan ;   Xintai Wang ;   Xiangwei Jiang ;  Mogens Brøndsted Nielsen ;   Kasper Nørgaard ;   Bo W. Laursen ;   Jingbo Li ;  Zhongming Wei
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两步合金法制作p-GaN高反电极 期刊论文
光电子·激光, 2008, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 902-904
Authors:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  刘志强;  王良臣;  王国宏
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表面处理对p-GaN欧姆接触的影响 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 1811-1814
Authors:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  师宏伟;  刘志强;  王国宏;  王良臣
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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
Inventors:  樊晶美;  王良臣;  刘志强
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GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
Inventors:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
Inventors:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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