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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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一种制备氮化镓基垂直结构发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081093.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  樊晶美;  王良臣;  刘志强
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GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
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