| 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 |
| 黄亚军; 樊中朝; 刘志强 ; 伊晓燕; 季安; 王军喜
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法，包括：步骤1：在衬底上制备氮化镓外延片；步骤2：在氮化镓外延片上制备第一层掩膜和第二层掩膜；步骤3：采用不同图形面积光刻版进行光刻，将第二层掩膜的两侧刻蚀掉，使第二层掩膜的面积小于第一层掩膜的面积；步骤4：通过双层掩膜的差异，采用ICP刻蚀的方法，将第一层掩膜和氮化镓外延片两侧刻蚀成梯形台面，该梯形台面的上部的宽度与第二层掩膜的宽度相同，该梯形台面的下部的宽度与衬底的宽度相同；步骤5：采用湿法腐蚀的方法，腐蚀掉第一层掩膜和第二层掩膜；步骤6：在氮化镓外延片上制作P电极；步骤7：采用激光剥离的方法，去掉衬底；步骤8：在P电极上制作转移衬底；步骤9：在氮化镓外延片上制作N电极，完成制备。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN201010534588.0
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010534588.0
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22123
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
黄亚军,樊中朝,刘志强,等. 高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法. CN201010534588.0.
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