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| The self-compensation effect of heavily Mg doped p-GaN films studied by SIMS and photoluminescence 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2019, 卷号: 133, 页码: 106177
Authors: H.R. Qi ; S. Zhang ; S.T. Liu ; F. Liang ; L.K. Yi ; J.L. Huang ; M. Zhou ; Z.W. He ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang
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| Compensation of magnesium by residual carbon impurities in p-type GaN grown by MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 765, 页码: 245-248
Authors: H.R. Qi ; L.K. Yi ; J.L. Huang ; S.T. Liu ; F. Liang ; M. Zhou ; D.G. Zhao ; D.S. Jiang
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| 双色量子点及中波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors: 黄建亮
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| 一种组合式聚光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈诺夫; 崔敏; 王彦硕; 白一鸣; 吴金良; 黄添懋
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| 聚光太阳电池单元 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 陈诺夫; 黄添懋; 王晓晖; 陈晨龙; 吴金良; 董毅
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器模拟与测试 期刊论文
光电子·激光, 2006, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 1413-1417
Authors: 雷晓荃; 毛陆虹; 陈弘达; 黄家乐
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| MS／RF CMOS工艺兼容的光电探测器 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: 1995-2000
Authors: 黄家乐; 毛陆虹; 陈弘达; 高鹏; 刘金彬; 雷晓荃
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| 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242346.1, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
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| 在玻璃衬底上制备P型多晶硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241692.8, 公开日期: 2011-08-31
Inventors: 黄添懋; 陈诺夫; 施辉伟; 尹志岗; 吴金良; 王彦硕; 汪宇; 张汉
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