利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法
施辉伟; 陈诺夫; 黄添懋; 尹志岗; 吴金良; 张汉
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-31
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法,包括如下步骤:步骤1:选择一石墨衬底,将石墨衬底抛光;步骤2:在磁控溅射室里,将抛光的石墨衬底磁控溅射多晶硅薄膜;步骤3:溅射结束后自然降温,形成样品;步骤4:将样品置于快速热退火炉里,快速退火,完成多晶硅薄膜的制作。
部门归属中科院半导体材料科学重点实验室
专利号CN200910242346.1
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910242346.1
专利代理人汤保平
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22235
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
施辉伟,陈诺夫,黄添懋,等. 利用磁控溅射在石墨衬底上生长多晶硅薄膜的方法. CN200910242346.1.
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