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| 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 王占国
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| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮
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| 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 赵德刚 ; 杨辉
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| 光纤激光器谐振腔的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 冯小明; 马骁宇; 王晓薇; 方高瞻; 王颖
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| 自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 吴洁君; 黎大兵; 陆沅; 韩修训; 李杰民; 王晓辉; 刘祥林; 王占国
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| 800nm布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王勇刚; 马骁宇
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| 中间镜式半导体可饱和吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 王勇刚; 马骁宇
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| 一种氮化铝交叠式单片集成微通道热沉 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 马杰慧; 方高瞻; 马骁宇; 蓝永生
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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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| 高击穿电压的高电子迁移率晶体管 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors: 徐晓华; 倪海桥; 牛智川; 贺正宏; 王建林
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