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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XS;  Yamada, T;  Ueda, R;  Otomo, A;  Xu, XS, Natl Inst Informat & Commun Technol, Kobe Adv Res Ctr, Nishi Ku, 588-2 Iwaoka, Kobe, Hyogo 6512492, Japan. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test 会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:  Zhou, W;  Yang, JL;  Li, Y;  Yang, FH;  Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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Bulge Test  Fracture Property  Silicon Nitride  Weibull Distribution Function  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan, YF;  Li, JB;  Li, SS;  Xia, JB;  Li, JB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, JL;  Gaspar, J;  Paul, O;  Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: paul@imtek.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, H;  Jiang, DS;  Wang, LL;  Sun, X;  Liu, WB;  Zhao, DG;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Wang, YT;  Zhang, SM;  Yang, H;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HY;  Yan, FW;  Zhang, Y;  Li, JM;  Zeng, YP;  Wang, GH;  Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Semicond Lighting Technol Res & Dev Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hygao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, WJ;  Wang, XL;  Guo, LC;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Ran, JX;  Li, JP;  Li, JM;  Luo, WJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luoweijun@mail.semi.ac.cn
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