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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Zhang S;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Liu ZS;  Wang H;  Zhang SM;  Zhang BS;  Yang H;  Zhao, DG (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Zhang SY;  Ni HQ;  He ZH;  Sun Z;  Han Q;  Wu RH;  Wu, DH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wudonghai@red.semi.ac.cn;  zcniu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DJ;  Shen B;  Bi ZX;  Zhang KX;  Gu SL;  Zhang R;  Shi Y;  Zheng YD;  Sun XH;  Wan SK;  Wang ZG;  Shen B,Nanjing Univ,Natl Lab Solid State Microstruct,Nanjing 210093,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG;  Li W;  Han PD;  Zhang Z;  Wang YG,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing Lab Electron Microscopy,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(552Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1000/266  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Shen XM;  Zhu JJ;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(102Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：2013/827  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang JS;  Dong X;  Luo XD;  Li DB;  Liu XL;  Xu ZY;  Ge WK;  Huang JS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：941/268  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng G;  Zheng XH;  Fu Y;  Zhu JJ;  Shen XM;  Zhang BS;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng ZH;  Yang H;  Zhang SM;  Duan LH;  Wang H;  Wang YT;  Feng ZH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Kong MY;  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Impurities  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Gallium Nitride  Sapphire Substrate  Defects  Heterostructure  Semiconductors  Stress