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中国科学院半导体研究所机构知识库
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Wei, HY (Wei, H. Y.)
;
Cong, GW (Cong, G. W.)
;
Zhang, PF (Zhang, P. F.)
;
Hu, WG (Hu, W. G.)
;
Wu, JJ (Wu, J. J.)
;
Jiao, CM (Jiao, C. M.)
;
Liu, XL (Liu, X. L.)
;
Zhu, QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Wei, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: why@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Wu, J (Wu, J.)
;
Jin, P (Jin, P.)
;
Jiao, YH (Jiao, Y. H.)
;
Lv, XJ (Lv, X. J.)
;
Wang, ZG (Wang, Z. G.)
;
Wu, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wuju@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Fang, ZD (Fang, Z. D.)
;
Huang, SS (Huang, S. S.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Wu, DH (Wu, D. H.)
;
Shun, Z (Shun, Z.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
;
Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nihq@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
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期刊论文
作者:
Zhao, H (Zhao, H.)
;
Xu, YQ (Xu, Y. Q.)
;
Ni, HQ (Ni, H. Q.)
;
Zhang, SY (Zhang, S. Y.)
;
Han, Q (Han, Q.)
;
Du, Y (Du, Y.)
;
Yang, XH (Yang, X. H.)
;
Wu, RH (Wu, R. H.)
;
Niu, ZC (Niu, Z. C.)
;
Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
方志丹
;
倪海桥
;
韩勤
;
龚政
;
张石勇
;
佟存柱
;
彭红玲
;
吴东海
;
赵欢
;
吴荣汉
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Wu XG (Wu X. G.)
;
Xu LJ (Xu L. J.)
;
Zheng HZ (Zheng H. Z.)
;
Wu, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
;
Jiao, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiaoyuheng@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Han Q (Han Q.)
;
Niu ZC (Niu Z. C.)
;
Peng LH (Peng L. H.)
;
Ni HQ (Ni H. Q.)
;
Yang XH (Yang X. H.)
;
Du Y (Du Y.)
;
Zhao H (Zhao H.)
;
Wu RH (Wu R. H.)
;
Wang QM (Wang Q. M.)
;
Han, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hanqin@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
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期刊论文
作者:
Yang W (Yang W.)
;
Chang K (Chang Kai)
;
Wu XG (Wu X. G.)
;
Zheng HZ (Zheng H. Z.)
;
Peeters FM (Peeters F. M.)
;
Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: kchang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11