中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ni, HQ (Ni, H. Q.);  Niu, ZC (Niu, Z. C.);  Fang, ZD (Fang, Z. D.);  Huang, SS (Huang, S. S.);  Zhang, SY (Zhang, S. Y.);  Wu, DH (Wu, D. H.);  Shun, Z (Shun, Z.);  Han, Q (Han, Q.);  Wu, RH (Wu, R. H.);  Ni, HQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: nihq@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(200Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：980/398  |  提交时间：2010/03/29
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：527/2  |  提交时间：2016/09/12
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：598/5  |  提交时间：2016/08/30
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：573/5  |  提交时间：2016/08/30