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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, JM;  Zhang, XZ;  Piao, HG;  Luo, ZC;  Xiong, CY;  Wang, XF;  Yang, FH
Adobe PDF(1155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：604/91  |  提交时间：2015/04/02
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SB;  He, Z;  Zheng, L;  Liu, B;  Zhang, F;  Dong, L;  Tian, LX;  Shen, ZW;  Wang, JZ;  Huang, YJ;  Fan, ZC;  Liu, XF;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Sun, GS;  Yang, FH;  Zeng, YP
Adobe PDF(856Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：713/141  |  提交时间：2015/03/20
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu YC (Fu Ying-Chun);  Wang XF (Wang Xiao-Feng);  Fan ZC (Fan Zhong-Chao);  Yang X (Yang Xiang);  Bai YX (Bai Yun-Xia);  Zhang JY (Zhang Jia-Yong);  Ma HL (Ma Hui-Li);  Ji A (Ji An);  Yang FH (Yang Fu-Hua)
Adobe PDF(2007Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：845/274  |  提交时间：2013/04/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY;  Wang XF;  Wang XD;  Fan ZC;  Li Y;  Ji A;  Yang FH;  Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn;  wangxiaofeng@semi.ac.cn;  fhyang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(659Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1520/464  |  提交时间：2010/04/05
沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：752/98  |  提交时间：2014/10/29
ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  徐晓娜;  胡传贤;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(1075Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：940/82  |  提交时间：2014/11/17
一种复合膜片压力传感器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224110.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王晓东;  樊中朝;  季安;  邢波;  杨富华
Adobe PDF(289Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1479/210  |  提交时间：2011/08/31
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  李迪;  贾利芳;  何志;  樊中朝;  杨富华
Adobe PDF(982Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：529/2  |  提交时间：2016/09/12
一种利用金属材料扩散互溶实现硅-硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  王晓峰;  黄亚军;  潘岭峰;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：543/2  |  提交时间：2016/09/12
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  贾利芳;  何志;  刘志强;  李迪;  樊中朝;  程哲;  梁亚楠;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：604/5  |  提交时间：2016/08/30