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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, SB;  He, Z;  Zheng, L;  Liu, B;  Zhang, F;  Dong, L;  Tian, LX;  Shen, ZW;  Wang, JZ;  Huang, YJ;  Fan, ZC;  Liu, XF;  Yan, GG;  Zhao, WS;  Wang, L;  Sun, GS;  Yang, FH;  Zeng, YP
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄亚军;  刘志强;  伊晓燕;  王良臣;  王军喜;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li XQ;  Cen LX;  Huang GX;  Ma L;  Yan YJ;  Li XQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LW;  Han YJ;  Hu CY;  Tan PH;  Yang FH;  Huang Q;  Zhou JM;  Guo LW,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang MH;  Han YJ;  Zhang YH;  Huang Q;  Bao CL;  Wang WX;  Zhou JM;  Lu LW;  Zhang MH,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Ctr Condensed Matter Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方晓明;  黄醒良;  陆卫;  李言谨;  沈学础;  周小川;  钟战天;  蒋建;  徐贵昌;  杜全钢
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  JIANG PH;  HUANG YJ;  GE WK;  SUN DZ;  ZENG YP
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调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结构中衬底光激发对导电沟道的作用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1987
作者:  黄云吉
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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
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